igbt是什么意思

igbt温度是什么？

芯片的晶元温度。晶体管结温，简称结温，是指半导体芯片内的最高工作温度，通常芯片的结温会比芯片的外壳高。用虚拟结温来描述IGBT的芯片温度，是IGBT芯片的温度并不是均匀的。IGBT模块里的一个芯片，芯片导通电流发热时，通过红外成像仪拍摄出的照片可以看出芯片表面的温度分布情况。我们可以看出芯片中部温度高，四周温度低，并且芯片上绑定线的温度比芯片表面更高。还需要注意一点，就是绑定线和芯片表面的温差并不是固定不变的，而是随着电流增加而升高的。

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IGBT指的是这台焊机用的是IGBT管子或者模块作为逆变功率器件。以区别于COMS和晶闸管。这也是目前市场上最新流行的功率器件。而所谓的TT、T、SY、IT这些都不是焊机型号标准里的编号。而是厂家内部的编号，具体代表什么意思只有他厂家懂得！或者你可以去看厂家提供的选型手册！

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IGBT是新型开关器件，开关速度快，加控制信号导通，去掉控制信号截止，控制方便，导通压降低，功耗低。IGBT的最大电流只有额定电流的2倍，耐冲击能力差。可控硅是传统的开关器件，控制功率大，耐冲击能力强。IGBT电炉真的比可控硅电炉节电吗?我们通过以下计算，就可以看出是否节电。　　1吨的电炉如功率为500KW,进相电压380V,IGBT电炉的功率因数为0.98，直流电流为928A，4个IGBT消耗的功率为　[1V(IGBT导通压降）X　928A/2]　X　4=1856W=1.856KW；可控硅电炉的功率因数为0.93，直流电流为977A,可控硅消耗的功率为：[1.2V(可控硅导通压降）X977A/2]　X　4=2344W=2.344KW,有此可以看出，IGBT消耗的功率比可控硅消耗的功率省了21％。

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阀组门极驱动单元GDU是与一次侧晶闸管或IGBT直接相连的驱动控制电路单元，负责接收VBE侧的触发指令，直接对晶闸管或IGBT执行PWM开关控制；同时采集电流、电压、温度等模拟量，实时判断过流、过压、过温等状态信息，并汇总上报给VBE侧。OPT光纤插件是VBE与阀组驱动单元GDU的连接通道。